La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/ITO Ferroelectric Tunnel Junctions
Isabel Tenreiro, Alberto Rivera (Tutor). Universidad Complutense de Madrid
El almacenamiento de información es uno de los grandes frentes de investigación a los que se enfrentan la física de materiales y la industria tecnológica actualmente. El desarrollo de la tecnología ha conllevado un aumento exponencial de la cantidad de datos con la que se trabaja cada día, y es necesario poder guardar y procesar esa información. La demanda de datos actual es tan grande que exige encontrar nuevos dispositivos de almacenamiento de información que permitan tener una mayor cantidad de datos en un espacio cada vez más reducido, y al mismo tiempo posibiliten una escritura y lectura de estos cada vez más rápida.
Una de las más grandes apuestas en este campo es el desarrollo de memorias no volátiles con lectura no destructiva (esto es, dispositivos en los que el proceso de lectura de los datos no borra la información) basadas en uniones túnel. Dentro de esta propuesta, el desarrollo de uniones túnel ferroeléctricas que pueden actuar simultáneamente como memorias no volátiles y como dispositivos memristores ofrece un punto de partida prometedor. Pese a que estos dispositivos ya han probado tener una lectura eléctrica no destructiva del estado de resistencia, la posibilidad de acceder de una forma más rápida al estado resistivo mediante métodos ópticos constituye todavía un campo abierto, debido a que, en general, la respuesta fotovoltaica de barreras ferroeléctricas ultradelgadas es demasiado pequeña para ser medida.
En este trabajo se demuestra la detección óptica del estado de resistencia de una unión túnel ferroeléctrica. Se fabrican uniones túnel en las que se integra un electrodo superior transparente que permite el acceso óptico a la unión. La formación de una barrera Schottky en la intercara inferior de la unión proporciona un estado de alta resistencia y, a la vez, potencia la respuesta fotovoltaica de la barrera bajo iluminación UV haciéndola medible. La supresión de esta barrera en el estado de baja resistencia elimina consigo la respuesta, proporcionando un método óptico para la medida del estado resistivo. De este modo, se abre una nueva línea para el diseño de memorias basadas en uniones túnel ferroeléctricas con lectura rápida, activa y no destructiva.
(Resumen completo: Isabel Tenreiro)
