Mapping underlying mechanisms for polarization-resolved reflectance on ReS2

Daniel Elvira López (Universidad de Alicante). Tutora: María Reyes Calvo Urbina

Los materiales de van der Waals se componen de capas bidimensionales con un espesor atómico, unidas por la fuerza de van der Waals, una fuerza relativamente débil. Esta característica facilita la separación de las capas mediante exfoliación mecánica, obteniendo muestras con una o pocas capas atómicas. Aunque el grafeno es el material más conocido, existe una amplia variedad de materiales van der Waals con propiedades diversas.

Este estudio se enfoca en las capas delgadas de materiales semiconductores van der Waals con alta anisotropía, particularmente en el disulfuro de renio (ReS2). La anisotropía de estos materiales resulta en respuestas ópticas y optoelectrónicas distintas a la luz polarizada. Una de estas respuestas, llamada dicroísmo lineal, implica una absorción diferencial de la luz polarizada según el ángulo relativo de polarización respecto a las direcciones cristalinas de la muestra. Esta absorción determina la generación de fotocorriente, que también exhibe dicroísmo.

El estudio del dicroísmo en semiconductores bidimensionales es esencial para su aplicación en dispositivos ópticos y optoelectrónicos, como fotodetectores flexibles y sensibles a la polarización de la luz. En este trabajo, se diseñó y construyó un montaje experimental que permite el control preciso de la polarización de la luz incidente en la muestra. Además, se desarrolló un método para analizar las variaciones en la luz reflejada en función del ángulo de polarización incidente con respecto a los ejes cristalinos de la muestra. Este enfoque se aplicó a la caracterización del dicroísmo lineal en el ReS2y puede extenderse en el futuro al estudio de otros materiales bidimensionales.

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