Los materiales antiferromagnéticos son insensibles a la aplicacion de un campo magnetico externo; ello puede representar una ventaja para su utilización en memorias magnéticas resistentes a imanes, pero también implica que hay que encontrar alternativas para controlar su orientación. Una de las opciones es utilizar la interacción de intercambio entre el AF y un ferromagneto adyacente a través del effecto conocido como «exchange spring effect»; a través de la interacción de intercambio entre los spines de la intercara antiferromagneto/ferromagneto, el ferromagneto arrastra los spines del antiferromagneto y logra cambiar su orientación.
En un reciente artículo publicado en Scientific Reports mostramos una simple metodología que permite medir la magnetoresistencia anisótropa de una capa fina de un antiferromagneto usando el mencionado «exchange spring effect». El antiferromagneto selecctionado es IrMn, un material aniferromagnético con alto acoplamiento spin-órbita, muy usado en aplicaciones. Hemos encontrado una magnetoresistencia anisótropa de 0.15% en una capa de 2nm de IrMn en contacto con un ferromagneto aislante, un valor mucho más elevado que el medido para el mismo espesor de IrMn sin FM adyacente. Además, su dependencia con el enfriado con o sin campo magnético confirma que el efecto medido no es debido al canteamiento de espines sino a la interacción de intercambio entre el FM y el AF.
R. Galceran, I. Fina, J. Cisneros-Fernández, B. Bozzo, C. Frontera, L. López-Mir, H. Deniz, K.-W. Park, B.-G. Park, Ll. Balcells, X. Martí, T. Jungwirth & B. Martínez,
«Isothermal anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic metallic IrMn». Sci. Rep. 6, 35471; doi: 10.1038/srep35471 (2016)
www.nature.com/articles/srep35471
